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3GB內存就叫旗艦手機？那1TB呢 [複製鏈接]

司徒摩卡

Youth II

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電梯直達

樓主

發表於 2014-7-25 20:58:25 |只看該作者 |倒序瀏覽

除了超高解析的屏幕以外，現在大家對於旗艦機的內存（RAM）要求，應該都是非3GB就看不上眼吧？不過在萊斯大學最新的電阻式內存（RRAM）研究的面前，這樣的容量大概就會被當成尾數去掉了。RRAM所使用技術並非傳統Flash采用電晶體為單元而是以電阻所組成，卻也同樣具備無需持續供電的優勢。
而且RRAM技術可以更輕松層疊以更有效地增加單芯片的存儲空間。重點是，新的技術可在室溫環境與較低能耗之下生產，大幅度地改善了以往需要超高溫、高電壓的低良率高成本制程，降低了制作難度。而綜合以上的優勢所得到的結果就是，為了將可在一張郵票大小的芯片中，獲得TB級的超大內存容量。很難想像吧？

這次的技術突破點在於，研究團隊改采以金屬（金或白金）填入僅有5nm寬的納米級二氧化矽層的孔縫之中的方式，並且以兩片非常薄的金屬包覆來制成電極。這樣制作方式相較以往將可大幅降低成本，並且可以增加一百倍的使用次數，存儲單元的密度也因此大幅增加：
RRAM 的每個Cell 單元可存儲 9 bits（Flash則是僅有3 bits）。 這樣的成果讓我們普遍見到的 RAM 內存的容量單位，一躍到了在固態硬盤 SSD上才會見到的TB級容量大小，但所需要的體積卻是迷你很多。
這樣說好了，一間已經準備推出相關產品的公司Crossbar表示，使用這樣技術的內存芯片可以使1TB的內存，容納在僅僅一張郵票大小的芯片尺寸中，而這樣的特性不正是極度適合移動設備嗎？雖說該公司目前的計劃是要把這樣的科技，應用在一些embedded用途與汽車上，所以短期之內應該暫時不會看到搭載此技術的消費型商品。但研究團隊也表示未來幾周也會與其他廠商接觸，所以也不能說這樣的未來還距離我們很遠了。