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三星電子在14nm FinFET工藝有所突破 [複製鏈接]

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電梯直達

樓主

發表於 2012-12-22 06:42:31 |只看該作者 |倒序瀏覽

　　GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子也宣佈，已經在14nm FinFET工藝開發之路上取得又一個裡程碑式的突破，與其設計、IP合作夥伴成功流片瞭多個開發載具。

三星就是在這裡(德州奧斯汀)為蘋果制造A系列處理器的

　　與此同時，三星還與ARM簽訂瞭14nm工藝物理IP、庫的協議，延續瞭三星在ARM SoC制造技術上的強勢。
　　做為14nm FinFET工藝開發的一部分，三星聯合ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等生態夥伴，完成瞭多種測試芯片的流片工作，包括完整的ARM Cortex-A7處理器、可在接近閾值電壓下工作的SRAM芯片、模擬IP陣列等等。
　　在之前，Cadence還與ARM、IBM合作，流片瞭14nm FinFET工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。
　　14nm Cortex-A7處理器的成功流片是三星14nm工藝的最關鍵突破，也是無工廠企業的新希望。A7、A15是天生一對，在ARM big.LITTLE策略中分別負責低功耗、高性能，而此番在FinFET晶體管上部署成功，也驗證瞭ARM新平臺的未來可行性。下一步就應該是嘗試流片Cortex-A15瞭。
　　三星表示，對比目前的32/28nm HKMG工藝，14nm FinFET工藝會進一步大大改善SoC芯片的漏電率和動態功耗。
　　三星的14nm FinFET工藝設計套件已經提供給客戶，相關產品設計也可以立即開始瞭，但三星並未披露會何時投入量產。
　　或許三星的這一切都將與蘋果無關瞭。在堅決的去三星化之路上，蘋果極有可能會選中臺積電，後者也為瞭拉攏蘋果開建新的工廠，用於投產16nm工藝。