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美光相變內存又來瞭已用於諾基亞手機 [複製鏈接]

現實999

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電梯直達

樓主

發表於 2012-12-13 14:36:45 |只看該作者 |倒序瀏覽

繼今年七月份在世界上首次量產相變內存(PCM)之後，美光今天又推出瞭第二款相變內存產品。
美光的首款相變內存采用45nm工藝制造，1Gb PCM顆粒加512Mb LPDDR2顆粒通過多芯片封裝(MCP)方式組合在一起而成，二者共享LPDDR2系統接口，可簡化軟件開發並支持LTE Modem。今天發佈的改成瞭512Mb PCM、512Mb LPDDR2的組合，可根據應用需要提供更大的靈活性。
二者都采用121-ball WFBGA封裝，運行電壓1.8V，數據總線寬度16-bit，耐受溫度范圍-20～+85℃。
美光還同時宣佈，1Gb+512Mb的正在大批量出貨，並得到瞭諾基亞的青睞，已用於其新款Asha系列手機中，而諾基亞也是對美光的這種相變內存贊賞有加。
美光相變內存目前主要面向傳統的功能性手機，未來會爭取進入智能手機和平板機。

2012-12-13 14:36:45 上傳
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順便介紹一下相變內存的主要特性：
－隨機讀取性能最高400MB/s
－位可變性(bit alterability)，無需擦除
－代碼執行無需主ECC
－耐久性超過10萬次寫入循環
－通過浮動柵極技術改進數據保持性，寫入循環不會導致數據損耗
－更低功耗
－符合JEDEC標準規范
－ Intel Mobile、TI OMAP PandaBoard、Android平臺驗證
－更緊湊的封裝、更小的PCB
－降低物料成本

2012-12-13 14:36:45 上傳
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