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標題: 流言終結者：深度剖析iPhone 6 Plus召回傳聞 [打印本頁]

作者: DiorCherie 時間: 2014-11-6 08:59:29 標題: 流言終結者：深度剖析iPhone 6 Plus召回傳聞

近日一則：“128G的iPhone6/Plus會莫名崩潰，恐導致大規模召回”。的新聞在網上瘋傳，並且引起了不少蘋果用戶的擔心，尤其是那些根據“要買就買頂配”的買買買原則而選擇了128G的iPhone的用戶。不過新聞內容卻引起了筆者的好奇，根據報道內容：
“引起iPhone崩潰的原因竟然是NAND FLASHMEMORY（閃存）模塊中IC控制單元出現故障，並且蘋果為了減少成本使用了低價的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY。因此當用戶安裝超過700個App時，iPhone便會自己崩潰，更令消費者感到擔憂的是最新的iOS8.1更新中這個問題並未解決，問題是出在硬件上。”
NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什麼？
首先FLASH MEMORY作為閃存設備，是手機類設備的重要存儲介質，由日本的東芝公司於1984年發明。在FLASH MEMORY中又分為NOR FLASH和NAND FLASH兩種常見的類型，其中NOR FLASH屬於第一代產品，第一款商用產品是1988年Intel公司所制造的NOR FLASH芯片，不過由於抹寫時間較長，成本較高的原因，NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同樣是有東芝公司發明，在1988年的國際固態電路研討會（ISSCC）所發佈。NAND FLASH具有較快的抹寫時間, 而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NAND FLASH相較於NOR FLASH具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數也高出NOR FLASH十倍。
在FLASH模塊中，數據被存儲在由浮閘晶體管組成的記憶單元數組內，在單階存儲單元（Single-level cell, SLC）設備中，每個單元隻存儲1比特的信息，這簡稱為SLC NAND FLASH，其優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長，不過缺點也很明顯：每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節需花費較高的成本來生產，因此不利於實際生產。
而多階存儲單元（Multi-level cell, MLC）設備則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以存儲2比特以上的數據，其“多階”指的是電荷充電有多個能階（即多個電壓值），如此便能存儲多個比特的值於每個存儲單元中。借由每個存儲單元可存儲更多的比特，MLC閃存可降低生產成本，但比起SLC閃存，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲單元的壽命較低，因此MLC閃存技術會用在標準型的儲存卡中。
而這一次被韓國媒體猛烈抨擊的三階儲存單元（Triple-Level Cell, TLC）TLC閃存，它的架構原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內儲存3個信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短，大約1000次，但是可以做到大容量和低價格。現在，廠商已不使用TLC這個名字，而是稱其為3-bit MLC。
iPhone中到底用了什麼FLASH MEMORY
在韓國媒體的報道中“iPhone 不僅使用了成本更低的NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成電路（IC）出現了故障。”在iPhone內部，這塊IC主要任務是其他電子元器件和NAND之間的調度和控制，保證數據的正常寫入和讀取，平時用戶不管是拍照還是使用應用都離不開它。
那麼實際情況是否如韓國媒體報道的那樣？帶著好奇，筆者查閱ifixit的拆機資。根據128G的真機實拆圖顯示，其采用來自韓國的海力士（SKhynix）的NAND FLASH，型號為H2JTDG8UD1BMS。（圖中紅色部分）

這顆NAND FLASH在海力士的技術文檔中被歸為E2NAND 3.0，是由SK Hynix和Anobit合作開發的，而Anobit早已被蘋果收購，致力於提高閃存的穩定性。雖然海力士並未明確標註H2JTDG8UD1BMS的類型，但是在全球領先的微電子服務網站TechInsights上，H2JTDG8UD1BMS被明確規范為NAND MLC FLASH MEMORY。

因此此次韓國媒體存在著失實情況，iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY，而非所謂的廉價NAND TLC FLASH MEMORY。而至於這塊FLASH中的控制IC是否存在問題，目前蘋果官方並未出面解釋，在其他媒體上也未見反映，因此需要進一步確認。
這則新聞的背後
雖然iPhone 6 Plus中的技術細節已經排查清楚，那麼為什麼這樣一則不實新聞會出現呢？筆者接著進行了排查。
這則新聞最先出現於韓國媒體BusinessKorea，蹊蹺的是BusinessKorea引援的內容均來自蘋果論壇上的同一個用戶，他在總計159篇的討論帖中都反映了128G iPhone 6 Plus的自動崩潰問題。
顯然在這個過程中BusinessKorea存在著明顯的缺失，新聞事實明顯不足，證據單一，說服力較低。除此之外，也沒有查明iPhone 6 Plus的真實元器件，輕易得出了128G iPhone 6 Plus采用NAND TLC FLASH MEMORY的錯誤結論。
雖然蘋果官方已經表態，不存在128G iPhone 6 Plus大規模自動崩潰的現象，更不可能大規模召回，但是這則失實新聞對不少蘋果用戶還是造成不小的影響。在筆者的實際使用過程中，iPhone 6確實出現過程序崩潰的現象，但是次數十分少見，多為越獄後插件沖突所致，而在日常生活中和媒體上更是從未見過高頻率的崩潰現象，因此各位128G的土豪用戶大可放心，隻是各家媒體長點心吧！不要一味了眼球而不負責任的轉載。

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作者: tn52003 時間: 2014-11-6 12:51:20

支持你就頂你

作者: 24gold24 時間: 2014-11-6 12:54:19

要多久才能升級啊

作者: 我不是傻鴨 時間: 2014-11-6 12:55:22

謝謝分享好帖子，幫你回覆一下

作者: 弒殺滅神 時間: 2014-11-6 13:00:35

這樣的貼子，不頂說不過去啊

作者: {誼} 時間: 2014-11-6 13:06:33

回復一下

作者: 我不是傻鴨 時間: 2014-11-6 13:08:21

圍觀來了哦

作者: 砵仔糕 時間: 2014-11-6 13:29:38

做一個,做好了,請看

作者: yan4327 時間: 2014-11-6 16:04:11

我也來頂一下..

作者: 牛奶陽光 時間: 2014-11-6 16:59:29

我又來囉，應該在前幾帖吧

作者: 現實999 時間: 2014-11-6 17:11:19

哪時候積分才會高啊

作者: kenneth_sweet 時間: 2014-11-6 17:52:29

這個貼不錯！！！！！看了之後就要回復貼子，呵呵

作者: 砵仔糕 時間: 2014-11-7 03:36:44

頂你一下，好貼要頂！

作者: 尊貴的基佬 時間: 2014-11-7 04:43:15

哪時候積分才會高啊

作者: nh88 時間: 2014-11-7 06:06:01

希望大家幫我把這個帖發給你身邊的人，謝謝！

作者: 底褲超人 時間: 2014-11-7 07:42:30

拿分走人呵呵，樓下繼續！

作者: jerrygarry 時間: 2014-11-8 18:04:27

我在努力中

作者: frankyhui 時間: 2014-11-9 16:45:16

樓主good

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