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標題: 3GB內存就叫旗艦手機?那1TB呢 [打印本頁]

作者: 司徒摩卡    時間: 2014-7-25 20:58:25     標題: 3GB內存就叫旗艦手機?那1TB呢

除了超高解析的屏幕以外,現在大家對於旗艦機的內存(RAM)要求,應該都是非3GB就看不上眼吧?不過在萊斯大學最新的電阻式內存(RRAM)研究的面前,這樣的容量大概就會被當成尾數去掉了。RRAM所使用技術並非傳統Flash采用電晶體為單元而是以電阻所組成,卻也同樣具備無需持續供電的優勢
而且RRAM技術可以更輕松層疊以更有效地增加單芯片的存儲空間。重點是,新的技術可在室溫環境與較低能耗之下生產,大幅度地改善了以往需要超高溫、高電壓的低良率高成本制程,降低了制作難度。而綜合以上的優勢所得到的結果就是,為了將可在一張郵票大小的芯片中,獲得TB級的超大內存容量。很難想像吧?

這次的技術突破點在於,研究團隊改采以金屬(金或白金)填入僅有5nm寬的納米級二氧化矽層的孔縫之中的方式,並且以兩片非常薄的金屬包覆來制成電極。這樣制作方式相較以往將可大幅降低成本,並且可以增加一百倍的使用次數,存儲單元的密度也因此大幅增加:
RRAM 的每個Cell 單元可存儲 9 bits(Flash則是僅有3 bits)。 這樣的成果讓我們普遍見到的 RAM 內存的容量單位,一躍到了在固態硬盤 SSD上才會見到的TB級容量大小,但所需要的體積卻是迷你很多。
這樣說好了,一間已經準備推出相關產品的公司Crossbar表示,使用這樣技術的內存芯片可以使1TB的內存,容納在僅僅一張郵票大小的芯片尺寸中,而這樣的特性不正是極度適合移動設備嗎?雖說該公司目前的計劃是要把這樣的科技,應用在一些embedded用途與汽車上,所以短期之內應該暫時不會看到搭載此技術的消費型商品。但研究團隊也表示未來幾周也會與其他廠商接觸,所以也不能說這樣的未來還距離我們很遠了。
dczpwxqklam03.jpg

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作者: 曾冇權    時間: 2014-7-26 00:05:02

誰能送我幾分啊
作者: 牙`蔚    時間: 2014-7-26 00:09:32

一樓的位置好啊.
作者: ^^SaSabb    時間: 2014-7-26 00:17:22

文筆流暢,修辭得體,深得魏晉諸朝遺風,更將唐風宋骨發揚得入木三分,能在有生之年看見樓主的這個帖子。實在是我三生之幸啊。
作者: HOTSTUDIO阿蚊    時間: 2014-7-26 00:46:52

不錯不錯.,..我喜歡
作者: andykom28    時間: 2014-7-26 00:49:22

謝謝樓主啊!
作者: 切雞飯    時間: 2014-7-26 01:13:00

呵呵,等著就等著...
作者: {誼}    時間: 2014-7-26 03:38:55

今天再看下
作者: appson    時間: 2014-7-26 05:11:26

加油啊!!!!頂哦!!!!!  
作者: Disy    時間: 2014-7-26 05:47:57

樓上的稍等啦
作者: Gopper    時間: 2014-7-26 08:01:16

呵呵 都沒人想我~~
作者: kensiu123    時間: 2014-7-26 08:01:28

一樓的位置好啊.
作者: 花家姐    時間: 2014-7-27 19:20:28

一樓的位置好啊..




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